Сегодня, 21 декабря, компания Samsung Electronics официально сообщила о создании первой в мире памяти DDR5 DRAM по технологическому процессу 12 нанометров, которую планируют использовать в центрах обработки данных, системах для работы с искусственным интеллектом и прочих производительных системах нового поколения. Производитель заявил, что новая разработка предоставляет потенциальным клиентам самую высокую производительность памяти, более внушительную энергоэффективность, а также уменьшенный размер кристалла. Последний пункт на самом деле очень важен, так как благодаря более компактному кристаллу с одной пластины можно получить больше чипов (примерно на 20%).
Также производитель поделился характеристиками и параметрами новых чипов памяти. В компании заявили, что новый чип DDR5 представлен микросхемой со скоростью передачи данных в 7,2 Гбит/сек на каждый контакт. В результате общая скорость обмена информацией действительно впечатляет — один чип памяти способен обработать два 4К-фильма весом в 30 ГБ всего за одну секунду, что, безусловно, открывает множество новых возможностей для систем обработки данных. Но, конечно, особое внимание производитель уделил и энергоэффективности — потребление памяти, произведённой по 12-нанометровой технологии, на 23% меньше в сравнении с памятью предыдущего поколения.
Учитывая, что новейшая память будет использоваться в различных крупных массивах для работы с искусственным интеллектом, машинным обучением и большими массивами данных, эта экономия в энергопотреблении выглядит более чем заметной. При этом производитель отметил, что уменьшение технологического процесса и значительное сокращение физических размером ячеек памяти не привели к наращиванию объёма ошибок при чтении и записи. Для этого Samsung пришлось использовать новый материал с крайне высокой диэлектрической проницаемостью, который позволяет предотвратить утечки заряда из каждой ячейки.
Более того, специалисты южнокорейского гиганта заявили об использовании специальной запатентованной технологии для проектирования чипов памяти, которая позволяет улучшить характеристики цепей и предоставить DDR5-память с самой высокой плотностью записи в мире. Сейчас производитель готовится к массовому производству этих чипов памяти — предположительно запуск новых мощностей должен состояться уже в 2023 году. Это значит, что уже через год эти чипы памяти попадут на рынок комплектующих — в AMD уже успели подтвердить, что их процессоры с DDR5-памятью нового поколения совместимы.
